黄仁勋在All-In峰会上透露，中国预计到2030年将自主研发出先进光刻系统，届时借助国内企业的生产能力，国产设备有望实现商业化。然而，德国蔡司的半导体负责人则认为，中国开发EUV光刻机仍需约15年时间。两者的观点差异明显，黄仁勋关注的是更广泛的先进光刻系统，包括浸润式DUV光刻机，而蔡司则专注于现阶段最先进的EUV技术。

EUV光刻机是芯片制造的顶尖设备，具有更高的制造精度，而浸润式DUV技术则能够满足成熟到7nm工艺的生产需求，虽然其制造过程较为复杂。台积电以前的7nm工艺主要采用浸润式DUV，而华为系列芯片如麒麟980和990也依赖该技术。EUV光刻机则被认为是制造尖端、高性能芯片的关键，然而DUV技术涵盖面更广，适用于多种芯片制造。

黄仁勋认为，中国企业在系统工程方面表现出色，通过技术创新应对外部压力，尤其是在华为的超节点技术和国产DUV光刻机的进展上。按照现有的发展势头，2030年国产设备实现规模化生产并非不可能。而蔡司则指出，EUV技术涉及的难度和技术壁垒较高，甚至包括二代EUV的2000多项专利，意味着中国企业还有很长的路要走。 球友会

光刻系统的发展可以分为四个阶段：第一阶段是干式DUV技术，目前已实现90nm和65nm分辨率的光刻机生产，主要应用于成熟芯片；第二阶段是浸润式DUV，涵盖14nm至7nm芯片制造，是目前的技术重点；第三阶段为非EUV替代技术，旨在在EUV无法使用时提供发展路径，例如先进封装和逻辑堆叠等技术；第四阶段是实现自主EUV设备的目标，这需要在多个核心子系统上取得突破。

在此过程中，除了继续发展DUV和EUV技术外，还需同步推进先进封装、逻辑折叠等技术，以降低对他国技术的依赖。实现DUV设备的自主可控，将增强制造稳定性，降低外部风险；而掌握EUV设备则将使我国在高端芯片领域逐步接轨国际先进水平。同时，正在发展的先进封装和逻辑折叠技术也为未来的芯片发展提供了新的可能性。